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電動汽車功率芯片測量方案
  • 發(fā)布日期:2024-07-25      瀏覽次數(shù):165
    •   伴隨著工信部印發(fā)的《汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》(簡稱《指南》),汽車芯片體系化建設(shè)被提上日程,本期我們將對《指南》涉及到的一些重點芯片與測試領(lǐng)域,做技術(shù)層面解讀,以及對汽車和芯片的重要細(xì)分領(lǐng)域,功率芯片的測試做更詳細(xì)的介紹,本文主要包含以下內(nèi)容:《汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》概覽;汽車芯片類型與功能概述;汽車芯片測試面臨的挑戰(zhàn);汽車芯片細(xì)分領(lǐng)域測試概覽. 功率芯片建模提參,靜態(tài)與動態(tài)測試。


      一、《汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》概覽

             《指南》根據(jù)汽車芯片技術(shù)現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需要及未來發(fā)展趨勢,提出到2025年,制定30項以上汽車芯片重點標(biāo)準(zhǔn),明確環(huán)境及可靠性、電磁兼容、功能安全及信息安全等基礎(chǔ)性要求,制定控制、計算、存儲、功率及通信芯片等重點產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)規(guī)范,形成整車及關(guān)鍵系統(tǒng)匹配試驗方法,滿足汽車芯片產(chǎn)品安全、可靠應(yīng)用和試點示范的基本需要;到2030年,制定70項以上汽車芯片相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)一步完善基礎(chǔ)通用、產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用及匹配試驗的通用性要求,實現(xiàn)對于前瞻性、融合性汽車芯片技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)的有效支撐,基本完成對汽車芯片典型應(yīng)用場景及其試驗方法的全覆蓋,滿足構(gòu)建安全、開放和可持續(xù)汽車芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)的需要。下圖是汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系框圖,其中包括了各個工作組職能。    

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      圖:汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系框圖,摘錄自《指南》


      二、汽車芯片類型與功能概述

             產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用類標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范在汽車上應(yīng)用的各類芯片所應(yīng)符合的技術(shù)要求及試驗方法。此類標(biāo)準(zhǔn)涵蓋控制芯片、計算芯片、傳感芯片、通信芯片、存儲芯片、安全芯片、功率芯片、驅(qū)動芯片、電源管理芯片和其他類芯片 10 個類別,如下示意圖:

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      圖:智能汽車架構(gòu)與所用芯片示意


      三、汽車芯片測試面臨的挑戰(zhàn)

            標(biāo)準(zhǔn)的建立,有助于幫助OEM,Tier 1 及測試機(jī)構(gòu)有統(tǒng)一的方案來驗證整車及零部件的性能及可靠性測試。在實際測試過程中,汽車芯片測試面臨許多挑戰(zhàn),特別是在當(dāng)前全球芯片短缺的背景下,包括:

      1、復(fù)雜性:現(xiàn)代汽車芯片集成了許多功能,如處理器、傳感器、通信模塊等。測試這些復(fù)雜的集成電路需要高度專業(yè)的知識和技能。

      2、可靠性:汽車芯片必須在不同條件下運行,如高溫、低溫、濕度和振動。因此,測試必須確保芯片在各種環(huán)境下都能可靠地工作。

      3、安全性:汽車芯片的安全性至關(guān)重要,因為它們控制著許多關(guān)鍵系統(tǒng),如制動、駕駛輔助和通信。測試必須檢測潛在的安全漏洞和風(fēng)險。

      4、時間壓力:汽車制造商通常需要大量芯片,以滿足市場需求。測試必須在緊迫的時間表下完成,以確保芯片的及時交付。

      5、成本:測試設(shè)備和人力資源的成本可能很高。汽車制造商需要在保持質(zhì)量的同時控制測試成本。

           總之,汽車芯片測試需要高度專業(yè)的技術(shù)、嚴(yán)格的質(zhì)量控制和靈活的方法,以應(yīng)對不斷變化的需求和挑戰(zhàn)。


      四、功率芯片測試概覽

             功率芯片是專門設(shè)計用來管理和調(diào)節(jié)高電壓和大電流的半導(dǎo)體設(shè)備,它們能夠在電力轉(zhuǎn)換、能源管理和動力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效率和高性能的要求。在新能源汽車中,功率芯片用于電池管理系統(tǒng)(BMS)、逆變器、充電設(shè)備和驅(qū)動電機(jī)控制器等關(guān)鍵部件,確保電能有效轉(zhuǎn)換和傳輸,提升車輛的行駛里程和性能;而汽車智能化對功率芯片的需求則主要體現(xiàn)在其特級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車載信息娛樂系統(tǒng)、車載網(wǎng)絡(luò)以及自動駕駛技術(shù)中,這些系統(tǒng)需要功率芯片提供穩(wěn)定、可靠的電力支持,以保證數(shù)據(jù)處理和通信的高效率。

             功率芯片正在向更高的功率密度、更低的能耗、更高的可靠性和更長的壽命方向發(fā)展。采用先進(jìn)材料(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN)的功率芯片,因其在高溫、高壓和高頻條件下的很好性能,正成為新能源和智能汽車領(lǐng)域的優(yōu)選。而隨著SiC/GaN技術(shù)的普及,怎么選擇更適合產(chǎn)品設(shè)計的功率器件,如何分析功率器件的不良原因等都是新能源行業(yè)從業(yè)者較為關(guān)心的問題,對功率芯片的測試,主要涉及包括功率器件建模,功率器件電路仿真,功率器件靜態(tài)參數(shù)測試,功率器件動態(tài)參數(shù)測試等,下面分別做一個介紹:

      1、功率器件建模

           現(xiàn)在大多數(shù)功率器件都是基于Level 3 MOS管的模型,加上許多非線性方程式結(jié)合而成。這需要對功率器件及建模有充分的認(rèn)識才能實現(xiàn)。實際建模的過程,可以基于PD1000A測量到的靜動態(tài)參數(shù),S參數(shù)直接進(jìn)行建模,自動產(chǎn)生對應(yīng)的模型。

      2、功率器件電路仿真

           功率器件的電路仿真可以基于ADS仿真平臺,在這平臺上直接進(jìn)行前仿真(pre-layout simulation)及后仿真(post-layout simulation)。在前仿的部分可直接使用PEMG抽取的模型參數(shù),搭配內(nèi)建的行為級模型,例如PWM產(chǎn)生器、運算放大器(OPAMP)、非線性磁性元件,建立關(guān)鍵電路原理圖。接著在同一平臺上,可以直接進(jìn)行版圖的設(shè)計,并抽取版圖的寄生電路,直接導(dǎo)回原理圖仿真,完成后仿真。在這整合的設(shè)計環(huán)境下,使用者可以實現(xiàn)精細(xì)化仿真,使用仿真精準(zhǔn)的預(yù)估電路的特性,一次完成Z終設(shè)計,就能達(dá)到設(shè)計指標(biāo)。另外,ADS仿真平臺還提供一鍵生成EMI測試電路,使用者可以在ADS上完成EMI的仿真,優(yōu)化EMI的設(shè)計,以符合EMC的指標(biāo)。

      3、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試

           靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),主要包括:門極開啟電壓、門極擊穿電壓,集電極發(fā)射極間耐壓、集電極發(fā)射極間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容),以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測試。

           碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN)等全新寬帶隙材料能夠支持大電壓和高切換速度。在高電壓直流偏置條件下 (高達(dá) 3 kV),高擊穿電壓 (達(dá) 10 kV)、大電流 (數(shù)千安培)、柵極電荷以及連接電容表征和器件溫度特征和 GaN器件電流崩潰效應(yīng)測量功能十分必要,是推動新器件盡快上市的重要保證,靜態(tài)參數(shù)測試的器件類型和項目主要包括:


      image.png


             以上靜態(tài)參數(shù)測試,可以用B1505A和B1506A兩套方案來完成。其中B1506A支持寬泛的電流和電壓工作范圍(1500 A,3 kV),并且支持全自動測試,可以完成功率器件IV、CV和Qg全參數(shù)測試,Z終輸出產(chǎn)品Datasheet報告。


      汽車功率芯片測量方案.png

      圖:B1506A功率器件分析儀/曲線追蹤儀


               一個典型的Datasheet測試報告如下所示,包括IV參數(shù)(擊穿電壓、漏電、開啟特性),CV參數(shù)(Rg、輸入、輸出和反向傳輸電容)和柵極電荷Qg。


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      圖:功率器件自動化Datasheet測試結(jié)果


      4、功率器件動態(tài)參數(shù)測試

            隨著開關(guān)頻率的不斷增加,功率器件/芯片的開關(guān)損耗超過靜態(tài)損耗成為主要功耗來源,動態(tài)參數(shù)也成為評估器件性能的重要參數(shù)。相對于器件的靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)主要表征的是器件在開啟或關(guān)斷瞬間的電學(xué)特性參數(shù),其主要是寄生電阻和寄生電容在動態(tài)應(yīng)用中,會引起充、放電過程,給電路實際工作帶來一些限制同時也決定的器件的開關(guān)性能。

            JEDEC委員會致力于WBG(寬禁帶)器件特性測試標(biāo)準(zhǔn)化,DPT(雙脈沖測試)技術(shù)已經(jīng)成為確定功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn),主要測試參數(shù)包括:


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             對功率器件/芯片的DPT測試,主要采用PD1500A;而對于需要更高功率的模組,則可以采用PD1550A,如下圖:


      雙脈沖測試儀


      圖:動態(tài)功率器件分析儀/雙脈沖測試儀,用于功率芯片測試


      雙脈沖測試儀


      動態(tài)功率器件分析儀/雙脈沖測試儀,用于功率芯片與模組測試

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