一、概述
IsoVu 光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號(hào)。IsoVu™ 探頭技術(shù)實(shí)際上通過(guò)光學(xué)隔離消除了共模干擾。這樣就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基準(zhǔn)電壓上提供精確的差分測(cè)量。借助我們的 IsoVu Generation 2 設(shè)計(jì)，您能獲得 IsoVu 技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，但大小僅為原來(lái)探頭尺寸的 1/5。
IsoVu Gen 2 探頭憑借多功能 MMCX 連接器以及帶寬、動(dòng)態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術(shù)設(shè)定新的標(biāo)準(zhǔn)。
二、應(yīng)用
（1） 開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)
（2）寬禁帶 GaN 和 SiC 設(shè)備的功率 FET 設(shè)計(jì)/分析
（3）逆變器設(shè)計(jì)
（4）電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
（5）BCI 或 ESD 測(cè)量
（6）電流分流器測(cè)量
三、全新升級(jí)
對(duì)于傳統(tǒng)差分探頭，您必須在高帶寬和高電壓之間做出選擇。IsoVu 探頭采用屏蔽同軸電纜和隔離功能，提供高帶寬和 ±2500V 的差分電壓范圍。
第二代IsoVu TIVP探頭提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的一系列帶寬，以適合您的預(yù)算并構(gòu)建具有特定項(xiàng)目所需性能的工作平臺(tái)。
四、技術(shù)參數(shù)
| 型號(hào) | 帶寬 | 差分電壓 | 共模 電壓 | 共模抑制比 | 光纖電 號(hào)纜長(zhǎng)度號(hào) |
| TIVP02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 |
| TIVP02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 |
| TIVP05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 |
| 號(hào)TIVP05L號(hào) | 號(hào)500 MHz號(hào) | 號(hào)±2500 V號(hào) | 號(hào)±60kV號(hào) | 直流：160dB 號(hào)100 MHz：100 dB號(hào) 200 MHz：100 dB | 10 米 |
| TIVP1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 |
| TIVP1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 |
五、電源上的浮動(dòng)測(cè)量
在半橋功率轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行高壓測(cè)信號(hào)測(cè)量具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)閰⒖紲y(cè)量的源端或集端會(huì)快速上下震蕩。SiC 和 GaN FET 等寬禁帶器件甚至更難測(cè)量，因其可以在幾納秒內(nèi)切換到高電壓?？焖僮兓墓材ｋ妷核a(chǎn)生的噪聲會(huì)泄漏到差分測(cè)量中，并隱藏 VGS 和 VDS 的真實(shí)情況。IsoVu 探頭具有全帶寬共模抑制性能，通常一次即可讓信號(hào)的真實(shí)情況一覽無(wú)余。
